[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-6] スロープダウンバイアスICP-RIEによるn型GaNのエッチングダメージの制御

〇山田 真嗣^1,2,3、櫻井 秀樹^1,2,3、大森 雅登¹、中村 敏幸³、上村 隆一郎³、須田 淳^1,2、加地 徹¹ (1.名大未来研、2.名大院工、3.アルバック半電研)

キーワード：窒化ガリウム、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング

窒化ガリウム (GaN) 系パワー半導体デバイスを実現する上で、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング (ICP-RIE) を用いた低ダメージドライエッチング技術を確立することは不可欠である。今回、エッチングバイアスパワーを連続的に低減させるスロープダウンバイアスエッチング技術を検討し、低ダメージ化への効果をn型GaNを用いて評価した。