[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-7] Impact of Surface Treatment on GaN-on-GaN Schottky Barrier Diode

〇(M1)Kazuki Isobe¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, surface, Schottky

GaN を用いたショットキー障壁ダイオードは、パワーエレクトロニクス素子として有用である。
障壁高が金属の仕事関数や GaN の表面処理によりどのように変化するかを知ることにより、デバイス設計の自由度拡大につながる可能性がある。本研究においては、フォトリソグ ラフィー工程を含む GaN 表面処理による、表面酸化膜の低減の度合いが、ショットキー障壁高の金属仕事関数依存性にどのような影響を与えるかについて調べ報告する。