Evaluation of Mobile Charge in InGaZnO-TFT by C-V Method

Takanori Takahashi; Ryoko Miyanaga; Mami N. Fujii; Jun Tanaka; Kazushige Takechi; Hiroshi Tanabe; Juan Paolo Bermundo; Yasuaki Ishikawa; Yukiharu Uraoka

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:45 PM S011 (South Lecture Bldg.)

Kohei Sasaki(ノベルクリスタルテクノロジー), Hiroyuki Nishinaka(Kyoto Inst. of Tech.), Takumi Ikenoue(Kyoto Univ.)

6:30 PM - 6:45 PM

△ [11p-S011-18] Evaluation of Mobile Charge in InGaZnO-TFT by C-V Method

〇(M1)Takanori Takahashi¹, Ryoko Miyanaga¹, Mami N. Fujii¹, Jun Tanaka², Kazushige Takechi², Hiroshi Tanabe², Juan Paolo Bermundo¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Tianma Japan)

Keywords:C-V method, thin-film transistor, InGaZnO

酸化物半導体InGaZnOを用いた薄膜トランジスタにおける高ドレイン電圧印加時のソース/ドレイン領域における欠陥と閾値電圧シフトの関係をC-V法によって評価した。初期のC-V測定後、伝達特性測定2回 (V_drain側20 V印加, V_source側20 V印加) とC-V測定を1セットとして、伝達特性測定時のドレイン電界の方向を入れ替えて測定を行った。ドレイン電界の方向によってソース/ドレイン領域における欠陥位置が移動し、C-V法により可視化することに成功した。