[11p-S011-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [11p-S011-5] Investigation on solid-phase epitaxy process of β-Ga₂O₃ by pulsed excimer laser annealing at room temperature

〇(M1)Hiroyuki Morita¹, Tomoaki Oga¹, Nobuo Tsuchimine², Satoru Kaneko^3,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.TOSHIMA Manu., 3.KISTEC)

Keywords:Ga2O3, wide-gap, Solid phase epitaxy

β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は約4.9 eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり、紫外域のオプトエレクトロニクスをはじめ高耐圧パワーデバイスなどへの応用が期待されている。我々はNiO緩衝層による成膜温度の低温下や、室温エキシマレーザーアニーリング（ELA）による低温合成などについて報告してきた。短パルス幅な紫外パルスレーザーを用いるELAでは、前駆体のバンドギャップに応じた波長を選択することによる半導体の効率的なエネルギー吸収と極短時間の結晶化を誘起することが可能となる。
本研究では透過型電子顕微鏡(TEM)によるβ-Ga₂O₃のエピタキシャル成長の観察や、照射パルス数などELA条件が結晶性・配向性、表面モフォロジーに及ぼす影響について検討した。