[11p-S222-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[11p-S222-7] 高純度オゾン由来の活性種を用いたAl₂O₃ バリア膜の室温ALD 成膜

〇亀田 直人¹、三浦 敏徳¹、森川 良樹¹、花倉 満¹、中村 健²、野中 秀彦² (1.明電舎、2.産総研)

キーワード：オゾン酸化膜、室温CVD・ALDプロセス、バリア膜

室温成膜技術は、耐熱性の低いフレキシブル基板上の有機EL デバイス作製プロセス等に必
要である。特にAl₂O₃ 膜は、水蒸気等からデバイスを保護するバリア膜として注目されている。
我々は前回までに高純度オゾン（O₃）とエチレン（C₂H₄）ガスの反応による大量のOH ラジ
カル生成技術をCVD に適用し、室温でのSiO₂ 成膜に成功した。今回、同技術をALD プロセ
スに展開して室温でのAl₂O₃ 成膜を試みたので報告する。
当日はAl₂O₃膜のバリア性（水蒸気透過度）、電気的特性等の膜質を報告する予定である。