[11p-S223-1~16] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[11p-S223-2] Green Quantum Dot Light-Emitting Diode with Narrow Emission Spectrum using ZnInP Quantum Dots

〇Genichi Motomura¹, Kei Ogura¹, Junki Nagakubo², Masaaki Hirakawa², Tsutomu Nishihashi², Toshimitsu Tsuzuki¹ (1.NHK STRL, 2.ULVAC)

Keywords:quantum dot, quantum dot light-emitting diode, emission spectrum

量子ドットは高色純度の発光が得られる材料として、広色域ディスプレイへの応用が期待されている。カドミウムフリーなInP系の量子ドットを用いたEL素子の高色純度化に向けて、シェル構造を改良したZnInP量子ドットを合成し、量子ドットEL素子を作製した。この量子ドットを用いたEL素子は、半値幅は49 nm、ピーク波長528nmの緑色EL発光を示した。