The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[11p-S223-1~16] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Mon. Mar 11, 2019 1:45 PM - 6:00 PM S223 (S223)

Yasushi Nanai(Aoyama Univ.), Jun Tatebayashi(Osaka Univ.)

2:15 PM - 2:30 PM

[11p-S223-3] Optical characterization of transition processes in AlGaN:Tm in blue-region

Shuhei Ichikawa1, Junichi Takatsu1, Ryoken Fuji1, Dolf Timmerman1, Jun Tatebayashi1, Yasufumi Fujiwara1 (1.Osaka Univ.)

Keywords:AlGaN, rare-earth, MOVPE

我々はこれまでに、有機金属気相成長法(OMVPE)により希土類元素のTmをAlGaN結晶中にin-situ添加し、これを活性層とすることでTmイオンに由来する狭帯域青色発光を観測してきた。波長465 nmおよび480 nm付近での発光が得られており、それぞれ4f殻内の1D2−3F4遷移および1G4−3H6遷移に対応する発光と考えられる。青色発光領域での狭帯域発光デバイス応用を目指し、発光特性を自在に制御するためには、これら遷移過程に関する十分な知見を得ることが求められる。本研究では、1D2−3F4遷移および1G4−3H6遷移過程についてPL測定により評価し、各遷移の励起・緩和過程に関して特徴的な知見を得たので報告する。