[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-10] RF-MBE法を用いたGaNのリモートホモエピタキシャル成長

〇大江 佑京¹、毛利 真一郎¹、名西 憓之¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工)

キーワード：GaN、MBE、グラフェン

機械剥離可能で良質な単結晶が得られるという期待から、グラフェン上に窒化物半導体を成長する研究が進められている。一方、単層グラフェンを緩衝層として利用することで、疑似的にホモエピタキシーされ、基板と同等品質の剥離可能結晶が得られることが、報告されている。本研究では、この手法を、窒化物半導体結晶成長へ応用することを目指しており、RF-MBE法を用いたGaN薄膜成長へ向けた検討を行う。