2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月11日(月) 13:30 〜 19:00 W541 (W541)

有田 宗貴(東大)、片山 竜二(阪大)、小林 篤(東大)

18:15 〜 18:30

[11p-W541-18] GaNナノコラム光共振器構造の設計と作製

〇(M1C)高木 俊裕1、関口 寛人1、玉井 良和1、山根 啓輔1、岡田 浩1、岸野 克巳2、若原 昭浩1 (1.豊橋技科大、2.上智大)

キーワード:GaN、Eu、ナノコラム

Eu添加GaN (GaN:Eu) は, シャープな発光スペクトルを示し, 環境温度に依存しない特徴をもつ. 本研究では, GaN:Eu結晶と微小共振器を一体集積を目指し, ナノコラムによるフォトニック結晶効果を得るための設計と配列化されたGaN:Euナノコラムの成長を行った. 高成長温度, 低窒素流量においてパターン内の意図しない自己形成ナノコラムが抑制された. 設計条件を満たす直径180 nm, 周期185 nm, 充填率94.6%のGaNナノコラムによる空孔型フォトニック構造が得られた.