The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Mon. Mar 11, 2019 1:30 PM - 7:00 PM W541 (W541)

Munetaka Arita(Univ. of Tokyo), Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Atsushi Kobayashi(Univ. of Tokyo)

2:30 PM - 2:45 PM

[11p-W541-5] Fabrication of AlGaN deep-UV LEDs on DC-sputter based AlN films

Yosuke Mogami1,2, Shogo Motegi1,2, Atsushi Osawa3, Kazuto Ozaki3, Yukitake Tanioka3, Atsushi Maeoka3, Masafumi Jo1, Noritoshi Maeda1, Hiroyuki Yaguchi2, Hideki Hirayama1 (1.RIKEN, 2.Saitama Univ., 3.SCREEN Finetech Solutions)

Keywords:sputtering, deep-UV LED, High temperature annealing

殺菌、浄水、医療など幅広い用途への応用可能なAlGaN深紫外LEDは、スパッタAlNを高温アニール処理したものをテンプレートとして用いることにより、作製コストの低減が期待できる。これまではアニールにより表面にヒロックが現れることから結晶性をトレードオフにアニール温度を下げる必要があったが、今回高い結晶性と良好な表面状態を両立するテンプレートが実現し、それを用いた深紫外LEDを作製したので報告する。