[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-6] [Young Scientist Presentation Award Speech] Polarity control of sputtered AlN toward wavelength conversion devices

〇Yusuke Hayashi¹, Kenjiro Uesugi², Kanako Shojiki³, Ryuji Katayama⁴, Hideto Miyake^1,3 (1.Grad. School of RIS, Mie Univ., 2.SPORR, Mie Univ., 3.Grad. School of Eng., Mie Univ., 4.Grad. School of Eng., Osaka Univ.)

Keywords:AlN, sputtering, polarity inversion

AlNは~200 nmのバンド端波長、4.3 pm/Vの非線形光学定数d₃₃を有することから、紫外-可視-赤外の広帯域で動作する波長変換材料として有望である。当グループでは、スパッタ成膜したAlNをface to face配置で熱処理することにより結晶性を大幅に向上させる技術を開発し、さらに波長変換デバイスへの応用に取り組んできた。本発表では、積層方向極性反転をスパッタ条件制御で可能であることを示し、疑似位相整合波長変換デバイスへの展開について報告する。