[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-5] Fabrication of AlGaN deep-UV LEDs on DC-sputter based AlN films

〇Yosuke Mogami^1,2, Shogo Motegi^1,2, Atsushi Osawa³, Kazuto Ozaki³, Yukitake Tanioka³, Atsushi Maeoka³, Masafumi Jo¹, Noritoshi Maeda¹, Hiroyuki Yaguchi², Hideki Hirayama¹ (1.RIKEN, 2.Saitama Univ., 3.SCREEN Finetech Solutions)

Keywords:sputtering, deep-UV LED, High temperature annealing

殺菌、浄水、医療など幅広い用途への応用可能なAlGaN深紫外LEDは、スパッタAlNを高温アニール処理したものをテンプレートとして用いることにより、作製コストの低減が期待できる。これまではアニールにより表面にヒロックが現れることから結晶性をトレードオフにアニール温度を下げる必要があったが、今回高い結晶性と良好な表面状態を両立するテンプレートが実現し、それを用いた深紫外LEDを作製したので報告する。