[11p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-W541-8] スパッタリング法により形成した GaN トンネル接合コンタクトの評価

〇筆谷 大河¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：GaN、トンネル接合、スパッタリング