[11p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-W541-7] c-plane AlN on a-plane sapphire fabricated by sputtering and high temperature annealing

〇Yusuke Hayashi¹, Kaito Fujikawa², Kenjiro Uesugi³, Kanako Shojiki², Hideto Miyake^1,2 (1.Grad. School of RIS, Mie Univ., 2.Grad. School of Eng., Mie Univ., 3.SPORR, Mie Univ.)

Keywords:AlN, sputtering

AlNを成膜するサファイア基板にはc面を用いることが主流であり、格子不整合に起因してAlNとサファイアのm軸が30度傾くことが知られている。これに対し、a面サファイア基板上ではc面AlNとm軸が平行になりうることが報告されており、結晶配向のtwistゆらぎ成分が低減できることや、劈開法でレーザ反射鏡を作製できるなどの利点が予想される。そこで、本研究では、a面サファイア(a-Sap)上c面AlN(c-AlN)に着目し、スパッタ法と高温アニールで高品質なAlNテンプレートを作製したので報告する。