[11p-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-W641-4] 軽元素のⅢ-V族半導体中への侵入メカニズム

〇小玉 欣典¹、財前 義史¹、深沢 正永¹、釘宮 克尚¹、長岡 弘二郎¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：エッチング、プラズマ、ダメージ