[11p-W810-1~17] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[11p-W810-12] FeFETを用いた時間領域アナログ積和演算回路の特性評価

〇原田 將敬¹、森江 隆¹、高橋 光恵²、酒井 滋樹² (1.九工大・生命体工、2.産総研)

キーワード：FeFET、アナログメモリ

エッジAIハードウェア向けに提案されている超低消費エネルギー時間領域アナログ積和演算回路方式では，高抵抗値を2桁以上の広い範囲で保持・制御する不揮発性アナログメモリ素子が必要である．その候補として我々はサブスレッショルド動作のFeFETを検討している．今回，FeFETを用いた小規模な積和演算回路を作製し，性能を評価したので，その結果を報告する．