[11p-W810-1~17] 31.1 Focused Session "AI Electornics"

△ [11p-W810-4] Synapse-like behavior observed in voltage-switching RAM

〇(M1)Yuki Watanabe¹, Shigeru Kobayashi¹, Ryota Shimizu^1,2, Kazunori Nishio¹, Wei Liu³, Satoshi Watanabe³, Hitosugi Taro¹ (1.Tokyotech, 2.JST-PRESTO, 3.UTokyo)

Keywords:Synapse, Ionic conductor, Memory device

脳型コンピュータは低消費電力という点で注目されている。脳における情報処理の鍵であるシナプスを模した素子として、我々は電圧記録型メモリに着目した。このメモリはLi/Li₃PO₄/Ni積層構造を有し、Li-Ni電極間に印加する電圧によりNi電極表面のLi電析量が変化することに対応して素子の開放端電圧が変化する。本研究では、このメモリにパルス電圧を印加し、その印加頻度を変調した電圧記録について調べた。