[12a-PA3-1~26] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-PA3-13] HVPE法で結晶成長したSiドープβ-Ga₂O₃ホモエピ膜の欠陥準位評価

〇中野 由崇¹、豊留 彬¹ (1.中部大工)

キーワード：Ga2O3、欠陥準位、HVPE結晶成長

単色分光照射による光容量過渡分光法(SSPC: Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy)を用いて、HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)法でβ-Ga₂O₃基板上に結晶成長したSiドープβ-Ga₂O₃ホモエピ膜の欠陥準位評価を行った。価電子帯上3.67eVと4.0eVに明確な欠陥準位を検出した。これらはSiドーピングにより生成された酸素空孔に起因していると考えられる。