[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12a-PA3-18] Protection on interfacial reaction in InGaZnO/Ionic liquid with self-assembled monolayer

〇Shoma Ishida¹, Mami Fujii², Yang Liu², Hirohisa Yamada¹, Yasuaki Ishikawa², Naoyuki Fujita¹, Yukiharu Uraoka² (1.Nara Inst., 2.NAIST)

Keywords:interface evaluation, oxide semiconductor, ionic liquid

これまで非晶質InGaZnO(a-IGZO)にイオン液体(IL)を用いた電気二重層トランジスタ(EDLT)は、高密度キャリア蓄積による低電圧駆動化が可能となり、IGZOの電界劣化、発熱劣化を抑制することが報告されている。しかし、a-IGZO/IL界面の化学反応が起因すると考えられる劣化が生じていた。そこでa-IGZOとILの界面反応を抑制する手法として、特に撥水性の高い自己組織化単分子膜(1H,1H,2H,2H-Perfulorodecyltriethoxysilane : FDTS) を用い、a-IGZO/IL界面を保護することを提案した。これによる、保護効果について検討した。