[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[12a-PA3-22] Formation and characterization of GZO transparent conductive films on flexible substrates by using plasma-assisted molecular beam deposition (3)

〇Tsutomu Muranaka¹, Hirotoshi Ono¹, Yoshifumi Terada¹, Sanshiro Watanabe¹, Yoichi Nabetani¹, Takashi Matsumoto¹ (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:ZnO, GZO, transparent conductive oxide film

本研究グループは、これまでに、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積法を用いて各種フレキシブル基板上へのGa添加ZnO(GZO)透明導電膜の形成と評価を行ってきた。今回の発表は、各種フレキシブル基板上に形成したGZO透明導電膜の成長条件依存性、光学的特性、電気的特性、大きな曲げ変形に伴う電気抵抗率の変化を調査した結果について報告する。