[12a-PA3-1~26] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [12a-PA3-23] Growth and Characterization of Single-Phase Metastable Rhombohedral Indium Tin Oxide Epitaxial Tin Films on r-plane α-Al₂O₃ Substrates with α-Fe₂O₃ Buffer Layers.

〇Kazuki Shimazoe¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:Transparent Conductive Oxide, ITO, Oxide Semiconductor

rh-ITOは合成に高圧高温が必要なため、その薄膜成長に関する報告はほとんどなされていない。本報告ではα-Fe₂O₃をバッファー層を挿入したr面α-Al₂O₃基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル成長とその物性について報告する。成膜にはミストCVD法を用いた。またSnの添加量による物性変化も報告する。本報告で行った評価からrh-ITOは従来のbcc-ITOと同様の物性を持つことが示唆される。