[12a-PB3-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12a-PB3-3] 水素ラジカル加熱を用いたガラス基板上Poly-Si形成技術開発

〇中家 大希¹、斎藤 慎吾¹、荒井 哲司¹、上村 和貴¹、有元 圭介¹、原 康祐¹、山中 淳二¹、中川 清和¹、高松 利行²、澤野 憲太郎³ (1.山梨大、2.エス・エス・ティー、3.東京都市大学)

キーワード：ポリシリコン、水素ラジカル