The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[12a-PB4-1~23] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Tue. Mar 12, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB4 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[12a-PB4-17] Analysis of irradiation temperature on carrier charging process of monoclinic-ZrO2

〇(M2)Kohei Yoshikawa1, Kenichiro Iwasaki1, Fumitaka Iwakura2, Yasushi Nakajima2, Takayuki Nakanishi1, Atsuo Yasumori1 (1.Tokyo Univ. Sci., 2.Daiichi Kigenso)

Keywords:Persistent luminescence phosphor, ZrO2

本研究では青緑色の発光を示す残光蛍光材料として知られている単斜晶ZrO2の残光メカニズムの解明を目指し、トラップ準位へのキャリア蓄積・解放プロセスについて注目した。とくに熱ルミネッセンス測定および残光励起スペクトルの温度依存性から、励起波長と励起温度の関係についての詳細な検討を行った。これらの結果からキャリア蓄積には熱励起が必要であることを明らかにし、単斜晶ZrO2の光物性に関する重要な知見を得た。