[12a-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[12a-W541-6] Desorption energies of O impurities from polar GaN surfaces with kink and step structures

〇Takahiro Kawamura^1,2, Hiroki Takeda¹, Akira Kitamoto², Masayuki Imanishi², Masashi Yoshimura², Yusuke Mori², Yoshitada Morikawa², Yoshihiro Kangawa³, Koichi Kakimoto³ (1.Mie Univ., 2.Osaka Univ., 3.RIAM,Kyushu Univ.)

Keywords:GaN, OVPE, first-principles calculation

GaNの気相成長法の1つであるOVPE法ではGa原料にGa₂Oを用いるためO不純物濃度が高くなりやすく，その制御が課題となっている．我々はこれまでに第一原理計算を用いてOVPE成長条件下において比較的平坦なGaN表面へのO不純物の吸着について解析を行ってきた．本研究ではキンクおよびステップ構造を持つGaN表面へのO不純物の吸着およびその脱離エネルギーについて解析を行ったので，その結果を発表する．