[12a-W611-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[12a-W611-9] Differential resistance of membrane Distributed-Reflector lasers by GaInAsP/InP ridge-waveguide type buried heterostructure

〇Naoki Takahashi^1,2, Nagisa Nakamura^1,2, Takamasa Yoshida^1,2, Weicheng Fang^1,2, Tomohiro Amemiya^1,2, Nobuhiko Nishiyama^1,2, Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo Tech, 2.IIR)

Keywords:laser, membrane

大規模集積回路上オンチップ光配線の実現に向けた光源として我々は半導体薄膜分布反射型レーザを提案、実現してきた。これまでに、低消費電力動作可能なリッジ埋め込みストライプ構造を導入した半導体薄膜分布反射型レーザの理論検討を行っており、今回、MOVPEによるリッジ構造の形成を見据えた微分抵抗の理論検討とMOVPEによるリッジ埋め込みストライプ構造の形成を行ったのでご報告する。