[12a-W611-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [12a-W611-10] Fabrication and lasing characteristics of 1.3-µm lateral-current-injection membrane lasers on SiC wafers

〇Suguru Yamaoka¹, Ryo Nakao¹, Takuro Fujii¹, Koji Takeda¹, Tatsurou Hiraki¹, Hidetaka Nishi¹, Takaaki Kakitsuka¹, Tai Tsuchizawa¹, Shinji Matsuo¹ (1.NTT Device Technology Labs.)

Keywords:semiconductor laser

本報告では、低消費電力・アンクール動作可能な高速直接変調レーザ実現を目的として、低屈折率・高熱伝導率のSiC基板上に1.3 µm帯横注入メンブレンレーザを作製した。SiC基板による十分な放熱効果を得るため極薄膜のSiO₂膜(40 nm)を介したInPとSiC基板の酸素プラズマ表面活性化接合を確立し、室温から高温までの連続発振を達成した。