[12a-W631-1~13] CS.3 Code-sharing Session of 3.11 & 13.6

[12a-W631-10] Coexistence dynamics of two types of terahertz wave emissions originating from a built-in electric field in GaAs nanostructured films

〇Takayuki Hasegawa¹, Yuta Okushima¹, Yoshihito Tanaka¹ (1.Univ. Hyogo)

Keywords:terahertz, carrier transport, plasmon

n型GaAs層（厚み3 μm）の上に非ドープGaAs層（200 nm）をエピタキシャル成長させたナノ構造膜をフェムト秒レーザーで励起すると、非ドープ層の内蔵電場に起因した“キャリア非平衡輸送”および“プラズモン-フォノン結合振動”が生じ、それぞれがテラヘルツ波を放射する。我々は、これら二種のテラヘルツ波放射応答を同時に対象とし、共存下での放射ダイナミクスを調査したのでその結果について報告する。