[12a-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12a-W641-11] MgF₂-Ar-CF₄およびMg-Ar-CF₄スパッタリングにおける阻止電極をもちいた薄膜再スパッタリングの抑制

〇草野 英二¹ (1.金沢工大バイオ・化学)

キーワード：スパッタリング、フッ化マグネシウム、電気陰性プラズマ

MgF₂-Ar-CF₄およびMg-Ar-CF₄スパッタリングにおいて，二重グリッドを用いた阻止電極を用いて負イオン入射の抑制を試みた． MgF₂-Ar非反応性スパッタリングにおいては，阻止電位が-75 V以下の大きさである場合には薄膜堆積速度は2 nm/min以下であり，阻止電位を-100 Vより大きくすると10 nm/min より高くなった．Mg-Ar-CF₄反応性スパッタリングにおいては，阻止電極を接地した場合には薄膜堆積速度は8 nm/min以下であり，-28 Vの阻止電位を印加すると10nm/min 程度となった．