[12a-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12a-W641-8] 熱電対を用いた裏面温度測定によるシリコンウェハ非接触温度測定の絶対温度の検証

〇(M1)亀田 朝輝¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：温度測定、活性化、アニール

これまでに我々は, 熱プラズマジェット(TPJ)照射によるミリ秒急速熱処理において石英およびシリコンウェハの昇降温特性を非接触測定する技術について報告してきた. 本研究では, 非接触温度測定で得られた実時間温度変化が実際の温度変化と整合しているか検証するため、熱電対を用いたシリコンウェハ裏面温度の同時測定を行った