[12p-M111-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[12p-M111-2] Characteristic of Molecule Ion Implanted Epitaxial Wafers for CMOS image sensor (Ⅰ)
-Reaction kinetic analysis of hydrogen diffusion behavior-

〇Ryosuke Okuyama¹, Ayumi Masada¹, Akihiro Suzuki¹, Koji Kobayashi¹, Satoshi Shigematsu¹, Ryo Hirose¹, Takeshi Kadono¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:molecular ion, hydrogen

我々はCMOSイメージセンサの高性能化のために、炭化水素分子イオン注入エピタキシャルウェーハを開発してきた。炭化水素分子イオン注入領域は水素を捕獲、脱離するという従来報告がない拡散挙動を示すことが明らかとなっている。この脱離する水素によって界面準位欠陥に対するパッシベーション効果が期待される。本研究では、分子イオン注入領域における水素の脱離挙動に関して解析をおこなったので報告する。