[12p-M111-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [12p-M111-3] Characteristics of Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafers for CMOS Image Sensor (II)
– Basic Characteristics of CH₄N Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafer –

〇Akihiro Suzuki¹, Takeshi Kadono¹, Ryo Hirose¹, Ryosuke Okuyama¹, Ayumi Masada¹, Satoshi Shigematsu¹, Koji Kobayashi¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO CORPORATION)

Keywords:molecular ion, CH4N

CMOSイメージセンサの性能を向上させるため、我々は近年、水素及び炭素、窒素から成る多元素分子（CH₄N）イオンを注入したエピタキシャルシリコンウェーハを新たに開発している。CH₄Nイオン注入エピタキシャルウェーハは、高い重金属ゲッタリング能力及び絶縁膜/Si界面のパッシベーション能力をもつことが期待される。今回は、CH₄Nイオン注入エピタキシャルウェーハの重金属ゲッタリング能力と注入領域の欠陥形態について報告する。