[12p-M111-1~13] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[12p-M111-4] First-principles analysis of defect formation in siliconcrystals for power device application

〇(M1)Daiki Tsuchiya¹, Koji Sueoka¹, Hidekazu Yamamoto² (1.OPU, 2.Chiba Tech.)

Keywords:Ci-Oi (interstitial carbon-interstitial oxygen), V-V (vacancy-vacancy pair)

パワーデバイス用の n 型 CZ-Si 結晶でのライフタイム制御を目的とした電子線照射後の欠陥の形成に着目した第一原理計算を行った．Si 64原子モデルにおける可能なすべての原子配置における不純物間の結合エネルギーを計算することで安定な複合体構造を探索し，また，原子配置や拡散障壁を考慮することで移動経路を推定した．これにより，ライフタイムの制御性に影響を及ぼす要因についての知見を得ることを目的とした．