[12p-M113-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[12p-M113-5] Effect of Si substrate orientation on epitaxial growth of SiGe by printing and firing

〇(D)Masahiro Nakahara^1,4, Shogo Fukami¹, Mel F. Hainey, Jr.¹, Yoshihiko Nakagawa¹, Keisuke Arimoto², Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Kensaku Maeda³, Kozo Fujiwara³, Marwan Dhamrin⁴, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.CCST, Univ. Yamanashi, 3.IMR, Tohoku Univ., 4.Toyal)

Keywords:SiGe, Liquid phase epitaxy

低コストかつ単純な高速プロセスでSi基板上へのSiGe層作製に向け、Al-Ge混合ペーストの印刷と焼成をベースとしたAlによるSiとGeの融点降下現象を利用した液相エピタキシャル成長に注目した。これまでに、Si(100)基板上に、大面積に連続的なSiGe/ Si(100)界面を得たが、SiGeは島状にエピタキシャル成長した。そこで本研究では、Si(111)基板上にAl-Ge混合ペーストを塗布し、熱処理することで、Si基板方位がSiGeの成長に与える影響について調査した。