[12p-W541-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[12p-W541-4] Epitaxial Growth of AlGaN on High-Temperature Annealed Sputter-Deposited AlN Templates

〇Kenjiro Uesugi¹, Kanako Shojiki², Yusuke Hayashi³, Hideto Miyake^2,3 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. School. of Eng., Mie Univ., 3.Grad. School. of RIS, Mie Univ.)

Keywords:AlGaN, MOVPE

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレート上へのAlGaN成長では、螺旋あるいは混合転位を核としたスパイラル成長に起因して巨大なヒロックが形成され、表面平坦性と結晶性の低下が生じることが課題である。これに対して、オフ角度の大きいサファイア基板を用いることでヒロックの形成を抑制し表面平坦性の向上を確認した。