[12p-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-W541-5] 高温アニールAlN/サファイア上へのAlGaN成長での歪み制御

〇稲森 崇文¹、鈴木 涼矢²、劉 小桐³、上杉 謙次郎⁴、正直 花奈子²、三宅 秀人^2,3 (1.三重大工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ、4.三重大地域創生戦略企画室)

キーワード：AlN、歪み、MOVPE

高効率なAlGaN系デバイスの実現には、低コストで高品質な下地AlGaN膜が必要である。我々はサファイア基板上のスパッタ堆積AlN膜に対して、face-to-face法のアニール（FFA）により高い結晶性を有するAlN膜の実現を報告している。しかし、FFAにより得たAlN膜は大きな圧縮歪みを持つことがわかっている。そこで本研究では、スパッタ堆積AlN膜のFFA基板上に、MOVPE法により高Al組成AlGaN層やAlN/AlGaN超格子層の成長を行い、AlGaN成長における歪み制御を検討した。