2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年3月9日(土) 09:00 〜 12:00 M114 (H114)

羽深 等(横浜国大)、曽根 正人(東工大)

11:15 〜 11:30

[9a-M114-10] 水晶振動子によるシリコンミニマルCVD装置内化学種輸送状態観察

高橋 俊範1、室井 光子1、〇羽深 等1、池田 伸一2,3、石田 夕起2,3、原 史朗2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ推機、3.産総研)

キーワード:ミニマルファブ、エピタキシャル成長、シリコン

小さなウエハ(直径12.5 mm)を用いて様々な電子部品を無駄なく必要な量だけ生産する「ミニマル・ファブ」において、シリコン化学気相堆積(CVD)装置の排出ガス系に水晶振動子(QCM)を設置することによりプロセス全体に関わる様子を把握可能であることをこれまでに示した。本研究においては、QCMを用いた観察に基づき、反応容器内の輸送状態が原料ガスの物性に依存して変わり得ることを報告する。