[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-2] ミニマルレーザ加熱装置における高速昇温時の転位制御について

〇佐藤 和重^1,3、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、池田 伸一^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：ミニマルファブ、レーザ加熱

ミニマルレーザ加熱装置おいて、これまで転位について2種類のレーザを重ねることで制御できることを過去に報告したが、詳細に調べられていない。そこで今回は、一方のレーザ出力を変えることにより、急速昇温時の温度分布を意図的に変え転位の発生状況を調べた。転位の発生を抑えるには、リング形レーザが必要であること、更にその出力も適切な値があることが分かった。