2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年3月9日(土) 09:00 〜 12:00 M114 (H114)

羽深 等(横浜国大)、曽根 正人(東工大)

09:45 〜 10:00

[9a-M114-4] 品質工学を用いたミニマルプラズマTEOS膜の膜質向上の検討

三浦 典子1、古賀 和博1、田中 宏幸1,2、野沢 善幸3、速水 利泰3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード:ミニマルファブ、プラズマCVD、品質工学

ミニマルファブでは、絶縁膜成膜装置としてプラズマCVD装置を開発し、プラズマTEOS膜をCMOSデバイスプロセスに適用しているが、実用的なLSIを作製するにあたり、より緻密で安定性の高い膜質が要求される。そこで、品質工学的手法を用い、プロセスパラメータを最適化することでTEOS膜質の向上を図ったので、その結果について報告する。