[9a-M114-1~12] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9a-M114-5] Variation of Contact Resistance Fabricated by Minimal Fab

〇Masashi Kase¹, Kazushige Sato^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SAKAGUCHI VOC CORP.)

Keywords:minimal, contact resistance, diffusion

ミニマルファブをデバイス製造として利用するために、デバイス特性の安定性が必要であり、重要なキーはコンタクトホールの安定性である。今回、ミニマル装置を用いてコンタクト抵抗TEGを製造し、TML法で測定を行った。ウエハ内９箇所の平均で抵抗率は6.0E-4Ωcm^2、面内ばらつきが±35.0%であった。我々の試作しているPOMSからの要求値よりやや高い値であり、今後さらに微細化が進むとコンタクト抵抗の低抵抗化が必要になる。