2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年3月9日(土) 09:00 〜 12:00 M114 (H114)

羽深 等(横浜国大)、曽根 正人(東工大)

10:15 〜 10:30

[9a-M114-6] ハーフインチサイズパッケージでの電気的に安定したビアコンタクト抵抗の形成

居村 史人1,2、井上 道弘1、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード:ミニマルファブ

我々はミニマルファブによるハーフインチサイズBGAパッケージの開発を進めている。これまで、ハーフインチウェハのボンディング、モールディング、レーザビア、モールド上再配線形成のプロセス開発を行い、電気的導通を確認してきた。今回、コンタクト抵抗のばらつきを評価しつつ、コンタクト構造の改善を図ったので報告する。