[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-7] ミニマルファブのゲートファーストプロセスで作製したPVD-TiNメタルゲートSOI-MOSFET電気特性のRTA依存性

〇柳 永シュン¹、佐藤 和重²、田中 宏幸^1,2、古賀 和博²、クンプアン ソマワン^1,2、長尾 昌善¹、松川 貴¹、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード：ミニマルファブ、ゲートファーストプロセス