[9a-M114-1~12] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[9a-M114-8] Variation of Electrical Characteristics of TiN-Gate SOI CMOS Fabricated by Minimal Fab

〇Kazuhiro Koga¹, Liu Y.X², Fumito Imura^2,1, Masashi Kase², Shuichi Noda², Kazumasa Nemoto², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST)

Keywords:TiN-Gate, CMOS, minimalfab

TiN反応性スパッタ装置によるTiNゲートや集光加熱炉による薄膜ゲート酸化膜などフルミニマルプロセスを用いた完全空乏型のTiNゲートSOI CMOSを試作し、ミニマル装置とプロセスのブラッシュアップを進めてきた。その中で、nMOS,pMOS単体のしきい値電圧やオフリーク電流がウエーハ内でばらつく問題があることがわかった。そこで、TiNゲート加工周辺のウエットプロセスを見直しばらつきを低減した。