[9a-M114-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-M114-8] ミニマルファブを用いたTiNゲートSOI CMOSの電気的特性のばらつき評価

〇古賀 和博¹、柳 永シュン²、居村 史人^2,1、加瀬 雅²、野田 周一²、根本 一正²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研)

キーワード：チタン窒化物ゲート、相補型MOS、ミニマルファブ

TiN反応性スパッタ装置によるTiNゲートや集光加熱炉による薄膜ゲート酸化膜などフルミニマルプロセスを用いた完全空乏型のTiNゲートSOI CMOSを試作し、ミニマル装置とプロセスのブラッシュアップを進めてきた。その中で、nMOS,pMOS単体のしきい値電圧やオフリーク電流がウエーハ内でばらつく問題があることがわかった。そこで、TiNゲート加工周辺のウエットプロセスを見直しばらつきを低減した。