[9a-M121-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[9a-M121-11] Measurement accuracy of net donor concentration of low-doped n-type GaN by C-V analysis of lateral Schottky diode structure

〇(B)Shohei Rokuno¹, Keisuke Sakao², Masahiro Horita^2,3, Jun Suda^2,3 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. Graduate School, 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:gallium nitride, sapphire substrate, TCAD

横型ショットキーダイオード構造の容量-電圧(C-V)測定においては、低ドープとなると、電極サイズによっては空乏層の伸びやシート抵抗に起因する誤差が無視できなくなってくる恐れがある。そこで本研究では、TCADシミュレーションにより横型ショットキーダイオード構造における実効ドナー密度の測定精度について検討を行い、また、実際の測定結果との比較も行った。