[9a-M121-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[9a-M121-11] 横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討

〇(B)六野 祥平¹、坂尾 佳祐²、堀田 昌宏^2,3、須田 淳^2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、サファイア基板、TCAD

横型ショットキーダイオード構造の容量-電圧(C-V)測定においては、低ドープとなると、電極サイズによっては空乏層の伸びやシート抵抗に起因する誤差が無視できなくなってくる恐れがある。そこで本研究では、TCADシミュレーションにより横型ショットキーダイオード構造における実効ドナー密度の測定精度について検討を行い、また、実際の測定結果との比較も行った。