[9a-M121-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [9a-M121-6] Theoretical prediction of disappearance of Ga₂O₃layer at the n-GaN/Al₂O₃interfaces

〇(D)Kenta Chokawa¹, Kenji Shiraishi^2,1 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, Al2O3, Ga2O3

本研究ではn-GaN/Ga₂O₃/Al₂O₃構造で発生する界面反応を明らかにした。Ga₂O₃界面層が存在した場合、これを分解してO原子を放出し、Al₂O₃中に格子間酸素欠陥を形成し、電子移動が起こることで大きなエネルギー利得が発生する。つまり、n-GaN/Ga₂O₃/Al₂O₃構造が形成された場合、Ga₂O₃層の分解が自発的に進行しn-GaN/Al₂O₃構造となる。