[9a-M121-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[9a-M121-9] Temperature Coefficients of Schottky Barrier Heights of Homoepitaxial n-type GaN for Various Schottky Metals

〇Ryosuke Murase¹, Takuya Maeda², Kazutaka Kanegae², Masahiro Horita^1,2,3, Jun Suda^1,2,3 (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:barrier height, Schottky, diode

Au、Pt、Pdショットキー金属を用いてn-GaN SBDを作製し、I-V測定及びC-V測定により障壁高さの温度係数を評価したので報告する。220 K～370 Kの温度域において、Au SBDの障壁高さの温度係数は、先行研究であるNi SBDの温度係数とほぼ同一であった。一方、Pt SBD及びPd SBDの障壁高さの温度変化はNi SBD及びAu SBDに比べて非常に小さく、この結果の解釈に関しては、求めた障壁高さの信頼性も含めて今後さらなる検討が必要である。