[9a-PA3-1~10] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[9a-PA3-1] Themoelectric properties of amorphous ZnO_xN_y thin films

〇Yasushi Hirose^1,2, Masato Tsuchii¹, Kei Shigematsu^2,3, Yohei Kakefuda⁴, Takao Mori⁴, Tetsuya Hasegawa^1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.KAST, 3.MSL, Tokyo Tech, 4.NIMS)

Keywords:amorphous, oxynitride, flexible thermoelectric material

n型フレキシブル熱電材料の候補として、非晶質酸窒化亜鉛（a-ZnON）薄膜の室温における熱電変換特性を評価した。無アルカリガラス基板上に反応性パルスレーザー堆積法で作製したa-ZnON薄膜は最大でPF=204 μW∙m⁻¹∙K⁻²を示し、a-IGZOの約2倍であった。一方で熱伝導率（1.4±0.2 W∙m∙K⁻¹）はa-IGZOと同程度で、非晶質酸化物半導体の既報の2倍以上となるZT = 0.042が得られた。