The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[9a-PB3-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Sat. Mar 9, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB3 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[9a-PB3-18] Vibration Endurance Test of SiC Half-Bridge Power Modules built in In-Wheel Motor

Mari Yamshita1, Nobuo Kojima1, Tatsuhiro Suzuki1, Sawa Araki1, Satoshi Tanimoto1, Kan Akatsu2 (1.NISSAN ARC, Ltd, 2.Shubaura Inst Tech)

Keywords:Power Modules, SiC

機電一体インホイールモータ(IWM)に内蔵する超小型SiCハーフブリッジパワーモジュール(HBPM)においては、低損失性や低寄生インダクタンス性、耐熱性のほかに、耐振性の強化が重要課題に挙がっている。有望な施策のひとつは全回路要素を耐熱性ハード樹脂で固め不動化させたパッケージにすることである。筆者らは200℃耐熱のエポキシ樹脂で封止したトランスファーモールドHBPMを前回公開して、標準状態では良好に動作することを報告した。このTM-HBPMの共振試験と30時間連続加振試験を実施したので結果を報告する。