[9a-W541-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-W541-11] GaN自立基板上pnダイオードの逆方向リーク電流とナノパイプ壁面に存在する不純物との関係

〇宇佐美 茂佳¹、田中 敦之^2,3、福島 颯太¹、安藤 悠人¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.未来材料・システム研究所、3.物材研、4.赤﨑記念研究センター、5.VBL)

キーワード：III族窒化物半導体、pnダイオード、ナノパイプ

本講演では、GaN自立基板上縦型pnダイオードで観察されるリークに関係するナノパイプとリークに関係しないナノパイプの差をナノパイプ壁面の不純物に着目し、STEM-EDS分析により不純物の寄与を明らかとするものである。